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本芯片采用硅外延工藝制造，具有高功率增益放大、寬帶以及低噪聲、低漏電流、小結(jié)電容特性，較大的動(dòng)態(tài)范圍，理想的電流線性； 主要應(yīng)用于超高頻微波、高頻寬帶低噪聲放大器中，如CATV視頻放大器、無線收發(fā)模塊、各類遠(yuǎn)距離遙控器、安防報(bào)警器、模擬數(shù)字無繩電話等產(chǎn)品中，適合中功率高頻信號(hào)放大； 集電極-發(fā)射極擊穿電壓：BVCEO=15V，最大集電極電流：ICM=100mA,集電極耗散功率：PC=1000mW，特征頻率：fT=8.5GHz； 封裝形式：SOT89,本體印字(Marking)：S58。

具有高功率增益放大以及低噪聲特性，大動(dòng)態(tài)范圍，理想的電流線性； 主要應(yīng)用于超高頻微波無線射頻放大、VHF、UHF 和CATV 高頻寬帶低噪聲放大器、無線遙控 器、射頻模塊、雷達(dá)感應(yīng)開關(guān)等電路中； 集電極-發(fā)射極擊穿電壓：BVCEO≥12V，最大集電極電流：IC≥100mA,集電極功率：PC≥200mW （SOT-323 封裝PC≥150mW），特征頻率：fT=7.5GHz； 封裝形式：SC59、SOT23 或者SOT323,本體印字：R25； 180-250